Домой В мире Характеристики и применение l4w smd транзистора

Характеристики и применение l4w smd транзистора

63
0

L4w smd транзистор

Если требуется компактный полупроводниковый прибор для переключения слаботочных цепей, L4W в корпусе SOT-23 – один из лучших вариантов. Его максимальное напряжение коллектор-эмиттер достигает 50 В, а ток нагрузки – до 500 мА, что делает его пригодным для управления реле, светодиодами и другими низковольтными устройствами.

Температурный диапазон работы от -55°C до +150°C позволяет использовать компонент в промышленных условиях. Коэффициент усиления по току (hFE) варьируется от 100 до 300, обеспечивая стабильность в схемах с малым уровнем шума.

В импульсных преобразователях этот прибор демонстрирует время переключения менее 100 нс, что минимизирует потери энергии. Для монтажа на плату достаточно пайки при 260°C в течение 10 секунд – это соответствует стандартам JEDEC.

L4W: параметры и варианты использования

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер – 60 В, ток коллектора – 500 мА. Подходит для слаботочных схем, где требуется компактность и низкое энергопотребление.

Корпус SOT-23 позволяет размещать элемент на платах с высокой плотностью монтажа. Рассеиваемая мощность – 350 мВт, что ограничивает использование в мощных цепях.

Коэффициент усиления по току (hFE) варьируется от 100 до 300. Для стабильной работы в усилительных каскадах выбирайте экземпляры с минимальным разбросом параметров.

Температурный диапазон: от -55°C до +150°C. Применяется в промышленной электронике, датчиках, портативных устройствах. Не подходит для высокочастотных схем – граничная частота не превышает 250 МГц.

При пайке соблюдайте температурный режим: не более 260°C в течение 10 секунд. Перегрев приводит к деградации кристалла.

Ключевые рабочие показатели компонента L4W

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) составляет 50 В, что позволяет использовать элемент в схемах с умеренным уровнем напряжения. Ток коллектора (IC) достигает 0.5 А, обеспечивая стабильную работу в маломощных устройствах.

Параметры усиления и частоты

Коэффициент передачи тока (hFE) варьируется от 100 до 300 при токе 10 мА. Граничная частота (fT) – 250 МГц, что делает деталь пригодной для ВЧ-усилителей и генераторов.

Тепловые и динамические свойства

Рассеиваемая мощность (Ptot) – 0.3 Вт при температуре 25°C. Время переключения не превышает 15 нс, что минимизирует задержки в импульсных режимах.

Примеры схем с L4W SMD транзистором в электронных устройствах

Для управления слаботочными нагрузками (до 500 мА) соберите ключевую схему на этом компоненте:

  • Нагрузку (реле, светодиод) соедините с коллектором и +5 В.
  • Эмиттер – на землю. Добавьте защитный диод параллельно нагрузке.

В усилителях НЧ используйте следующую конфигурацию:

  1. Входной сигнал подайте через конденсатор 1 мкФ на базу.
  2. В коллекторной цепи установите резистор 2.2 кОм для смещения.
  3. На эмиттер добавьте резистор 100 Ом и шунтирующий конденсатор 10 мкФ.

Для генераторов прямоугольных импульсов:

  • Соберите мультивибратор на двух экземплярах, резисторах 10 кОм и конденсаторах 100 нФ.
  • Частота регулируется номиналами RC-цепей.
  • Выход подключайте к счетчику или драйверу.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь