Транзистор КТ502 является одним из ключевых элементов в электронике, широко применяемым в усилительных и переключательных схемах. Этот биполярный транзистор структуры n-p-n обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что делает его популярным среди радиолюбителей и профессионалов.
Основные характеристики КТ502 включают максимальный ток коллектора, напряжение коллектор-эмиттер и коэффициент усиления по току. Эти параметры позволяют использовать транзистор в устройствах с низким и средним уровнем мощности, обеспечивая эффективное управление сигналами.
В данной статье подробно рассмотрены технические параметры, особенности конструкции и области применения транзистора КТ502. Вы узнаете, как правильно выбирать и использовать этот компонент в своих проектах, а также какие аналоги могут его заменить в случае необходимости.
Основные параметры транзистора КТ502
Транзистор КТ502 относится к категории кремниевых биполярных транзисторов средней мощности. Он широко применяется в усилительных и импульсных схемах. Основные параметры устройства:
- Тип проводимости: P-N-P
- Максимальный коллекторный ток (Iк): 0,5 А
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 60 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (Uкб): 60 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (Uэб): 5 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 0,625 Вт
- Коэффициент усиления по току (h21э): 20–70
- Граничная частота усиления (fгр): 1 МГц
Транзистор КТ502 имеет следующие особенности:
- Низкий уровень шума при работе в усилительных схемах.
- Хорошая температурная стабильность.
- Компактный корпус, удобный для монтажа.
Эти параметры делают КТ502 универсальным решением для различных электронных устройств.
Особенности конструкции и применение
Транзистор КТ502 представляет собой кремниевый биполярный прибор, выполненный по технологии n-p-n. Конструктивно он состоит из трех слоев полупроводникового материала, которые формируют эмиттер, базу и коллектор. Корпус транзистора выполнен в металлостеклянном исполнении, что обеспечивает высокую механическую прочность и устойчивость к внешним воздействиям.
Конструктивные особенности
Особенностью конструкции КТ502 является использование планарной технологии, которая позволяет минимизировать размеры прибора и улучшить его тепловые характеристики. Эмиттер и коллектор выполнены с низким сопротивлением, что способствует повышению эффективности работы транзистора в высокочастотных схемах.
Области применения
КТ502 широко применяется в усилительных каскадах низкой и средней мощности, а также в импульсных схемах. Благодаря своим характеристикам, он используется в радиотехнических устройствах, системах автоматики и телемеханики. Высокая надежность и стабильность параметров делают его востребованным в промышленной электронике.
Технические характеристики КТ502
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (UCEO): 30 В.
Максимальный ток коллектора (IC): 0.5 А.
Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 0.625 Вт.
Коэффициент усиления по току (hFE): 40–120.
Частотная характеристика (fT): до 100 МГц.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UCE(sat)): не более 0.5 В.
Температурный диапазон эксплуатации: от -60°C до +125°C.
Корпус транзистора: металлостеклянный, тип КТ-26.
Принцип работы и ключевые свойства
Транзистор КТ502 относится к категории биполярных транзисторов структуры P-N-P. Его работа основана на управлении током между эмиттером и коллектором с помощью тока базы. При подаче отрицательного напряжения на базу относительно эмиттера, транзистор открывается, позволяя току протекать через коллектор.
Основные принципы работы
КТ502 работает в трех режимах: активный, отсечки и насыщения. В активном режиме транзистор усиливает сигнал, в режиме отсечки он полностью закрыт, а в режиме насыщения – полностью открыт. Переключение между режимами осуществляется изменением напряжения на базе.
Ключевые свойства
КТ502 обладает высоким коэффициентом усиления по току (h21э), что делает его подходящим для усилительных схем. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) достигает 60 В, а ток коллектора (Iк) – до 1 А. Транзистор также характеризуется низким уровнем шума и стабильностью параметров при изменении температуры.
