Транзистор BS170 является одним из наиболее популярных полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET), который широко используется в электронных схемах. Его ключевые особенности – низкое сопротивление в открытом состоянии и высокая скорость переключения, что делает его идеальным для применения в импульсных источниках питания, усилителях и других устройствах.
Основные параметры BS170 включают напряжение сток-исток (VDS), ток стока (ID) и пороговое напряжение затвора (VGS(th)). Эти характеристики определяют, как транзистор будет вести себя в различных условиях эксплуатации. Например, максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а ток стока может достигать 500 мА.
Важным аспектом при выборе BS170 является его температурная стабильность и способность работать в широком диапазоне температур. Это делает его универсальным компонентом для проектов, где требуется надежность и долговечность. В данной статье мы подробно рассмотрим основные характеристики и параметры транзистора BS170, а также его применение в современных электронных устройствах.
Основные характеристики транзистора BS170
Напряжение сток-исток (VDS): Максимальное напряжение составляет 60 В, что делает его подходящим для низковольтных приложений.
Ток стока (ID): Предельный ток стока достигает 500 мА, обеспечивая достаточную мощность для управления нагрузками средней мощности.
Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): В среднем составляет 5 Ом при напряжении затвор-исток (VGS) 10 В, что обеспечивает низкие потери мощности.
Напряжение затвор-исток (VGS): Рабочее напряжение затвора находится в диапазоне от -20 В до +20 В, что позволяет гибко управлять транзистором.
Мощность рассеяния (PD): Максимальная мощность рассеяния составляет 830 мВт, что ограничивает его использование в высокомощных схемах.
Температурный диапазон: BS170 работает в диапазоне температур от -55°C до +150°C, обеспечивая стабильность в различных условиях эксплуатации.
Корпус: Транзистор выпускается в корпусе TO-92, что делает его компактным и удобным для монтажа на печатные платы.
Применение: BS170 широко используется в схемах переключения, усилителях низкой частоты и в качестве ключа в низковольтных устройствах.
Параметры и особенности применения BS170
Транзистор BS170 представляет собой N-канальный MOSFET, который широко используется в схемах переключения и усиления сигналов. Его ключевые параметры включают напряжение сток-исток (VDS) до 60 В, ток стока (ID) до 500 мА и пороговое напряжение затвора (VGS(th)) в диапазоне от 0,8 до 3 В.
Основные характеристики
BS170 отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), что делает его эффективным в схемах с низким энергопотреблением. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 830 мВт, что позволяет использовать его в компактных устройствах. Также транзистор обладает высокой скоростью переключения, что важно для высокочастотных приложений.
Особенности применения
BS170 часто применяется в схемах управления нагрузками, таких как реле, светодиоды и маломощные двигатели. Благодаря своей устойчивости к статическим разрядам и простоте управления, он подходит для использования в цифровых и аналоговых схемах. Однако важно учитывать, что для корректной работы требуется обеспечить достаточное напряжение на затворе, чтобы избежать неполного открытия транзистора.
